二氧化硅粒度很細(xì)，約0.01-0.1μm，因此拋光工件表面的損傷層極微;另外，二氧化硅的硬度和硅片的硬度相近，因此常用于對(duì)半導(dǎo)體硅片的拋光。在研究對(duì)硅片的晶拋光過(guò)程中，磨削層的厚度為磨料粒子尺寸的四分之一 。并且，為了減小表面粗糙度和損傷層深度，精拋時(shí)不再采用類似氣相法制備的微米級(jí)二氧化硅粒子，而采用納米級(jí)的二氧化硅膠體;同時(shí)通過(guò)提高產(chǎn)物排除速率和加強(qiáng)化學(xué)反應(yīng)提高拋光效率 。二氧化硅是拋光液的重要組成部分，其粒徑大小、致密度、分散度等因素直接影響化學(xué)機(jī)械拋光的速率和拋光質(zhì)量。因此二氧化硅膠體的制備也是拋光液中不可缺少的工藝。例4 如孫濤 以Na 2 SiO 3 為原理，通過(guò)離子交換法制備出了不同粒徑的納米二氧化硅膠體，考察了磨料粒徑和數(shù)量等因素對(duì)存儲(chǔ)器硬盤基板NiP的拋光速率的影響，發(fā)現(xiàn)磨料濃度相同時(shí)，粒徑為150nm的二氧化硅膠體拋光速率比較高;粒子數(shù)目相同時(shí)，粒徑為200nm 的二氧化硅膠體拋光速率比較高。

　　二氧化硅拋光液中酸堿度 的調(diào)節(jié)非常重要，對(duì)硅片進(jìn)行拋光時(shí)，二氧化硅拋光液一般選用有機(jī)胺調(diào)節(jié)酸堿度，這是因?yàn)樵趻伖膺^(guò)程中，無(wú)機(jī)金屬離子進(jìn)入介質(zhì)層或襯底，影響工件的局部穿通 效應(yīng)，降低芯片工作的可靠性。尹青 等從PH值、磨料粒度及磨料的質(zhì)量分?jǐn)?shù)等方面，研究了二氧化硅拋光液對(duì)AIN基片的拋光效果，發(fā)現(xiàn)拋光液pH 值為10.5-11.5時(shí)，采用大粒徑、高質(zhì)量分?jǐn)?shù)的納米二氧化硅膠體作為磨料，用利于提高拋光速率。何彥剛等用二氧化硅拋光液對(duì)銅進(jìn)行了化學(xué)機(jī)械拋光試 驗(yàn)，發(fā)現(xiàn)隨著堿性二氧化硅拋光液質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增加，銅晶片不很快被腐蝕，而且增加了腐蝕速率，當(dāng)拋光液質(zhì)量分?jǐn)?shù)達(dá)到63.7%時(shí)，銅的腐蝕被抑制;另外， 從銅拋光后表面形態(tài)可以看出，堿性化學(xué)機(jī)械拋光液對(duì)銅晶片表面有很好的改善作用;對(duì)沉積銅晶片層去除速率方面，堿性化學(xué)機(jī)械拋光液是酸性拋光液的4-5 倍。

　　但是二氧化硅拋光液中也存在一些問(wèn)題，例如，此種 拋光液中含有氨水或有機(jī)胺，氨水有揮發(fā)性，并且會(huì)和光刻膠發(fā)生反應(yīng)，因此，應(yīng)用時(shí)需要使用密閉的機(jī)臺(tái)或者隔離的區(qū)域和光刻區(qū)域分離。除此以外，聚合作用是 硅溶膠磨料的比較大一個(gè)缺點(diǎn)，容易在拋光液中形成凝膠，因此在配置拋光液的過(guò)程中，溶液pH值的控制非常嚴(yán)格，因?yàn)閽伖庖旱膒H值是影響硅酸聚合重要的原 因。

　　納米二氧化磨料拋光液由高純納米二氧化硅等多種復(fù)合材料配置而成，通過(guò)高科技術(shù)分散成納米顆粒，分散均勻的納米拋光液，具有強(qiáng)度高、高附著力、成膜性好、高滲透、高耐候性、高耐磨性等特點(diǎn)，是一種性能優(yōu)良的CMP技術(shù)用的拋光材料.